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22年12月01日发布 友顺-UTC 运放IC 供应信息
TL072G(W0) SOP-8 低噪声双J-FET运算放大
地区:深圳 
22年12月01日发布 友顺-UTC比较器IC 供应信息
友顺-UTC比较器IC LM324G-2(W1) LM33
地区:深圳 
22年12月01日发布 ADM2682EBRIZ-RL7 供应信息
地区:深圳 
22年11月30日发布 IW339-00 供应信息
描述 IW339-00是一个二次侧PWM信号发生器,可用于
地区:深圳 
22年11月30日发布 IW337-30 供应信息
描述 IW337-30是一个二次侧PWM信号发生器,可用于
地区:深圳 
22年11月29日发布 N沟道MOSFET NCE0117K 供应信息
新洁能12-200V N沟道MOSFET NCE0117K 描述 NCE0117K采用先进的沟槽
地区:深圳 
22年11月29日发布 N沟道MOSFET NCE6080A 供应信息
新洁能12-200V N沟道MOSFET NCE6080A 描述 NCE6080A采用先进的沟槽
地区:深圳 
22年11月29日发布 华润华晶CS7N65A4R 供应信息
描述 CS7N65A4R,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗
地区:深圳 
22年11月29日发布 华润华晶CS8N70FA9R-G 供应信息
描述 CS8N70FA9R-G,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传
地区:深圳 
22年11月29日发布 华润华晶CS7N65FA9R 供应信息
描述 CS7N65FA9R,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损
地区:深圳 
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